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SCM(掃描電容顯微術）

載流子分布表征

芯片工藝前段失效分析、設計改進摻雜劑分布、逆向工程及產線監控中具有重要的作用。其利用高空間分辨率對半導體器件進行電學表征，鑒于其非破壞性的掃描能力和高精度的納米特征量測，是表征半導體器件的有力方法。

C-AFM（導電原子力顯微術）

檢測樣品表面對地接觸間電流

芯片失效分析中扮演著重要定位角色，針對失效熱點(Hot spot)區域及SRAM cell/periphery里失效圖形(SB,BL,WL…)、DFT等failure mode。去層看VC無明顯異常時，可在Via層及Contact層做C-AFM量測，進而精準測出PN結電流大小來推斷是否有漏電及高阻情況。

AFM（原子力顯微術）

檢測樣品表面粗度                              

半導體與電子器件和材料科學等，如：Si基芯片，氧化鋁材料，銅框架，有機薄膜等