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       COXEM CP-8000+ 氬離子拋光是一種先進(jìn)的樣品制備工具，可使用氬離子束蝕刻樣品的橫截面。 該過(guò)程避免了物理變形和結(jié)構(gòu)損壞，不需要復(fù)雜的化學(xué)過(guò)程。此外，該系統(tǒng)通過(guò)處理從幾十微米到幾毫米的大面積，簡(jiǎn)化了樣品的橫截面分析。

特  點(diǎn)

●    每小時(shí) 700 μm 的高蝕刻速率（基于 Si，8 kV）

●    能夠保存/加載常用的配方

●    具有自動(dòng)執(zhí)行功能的逐步操作配方

●    使用智能樣品架輕松裝載樣品

●    通過(guò)腔室攝像頭實(shí)時(shí)觀察離子束狀態(tài)和蝕刻狀態(tài)

●    便捷的操作——直觀的GUI和簡(jiǎn)單的觸摸屏

●    通過(guò)離子束自動(dòng)開/關(guān)功能減少熱損傷

●    使用內(nèi)置數(shù)字顯微鏡通過(guò)離子束快速方便地對(duì)準(zhǔn)樣品

●    配備低噪、隔振、無(wú)油隔膜泵

●    具備平面銑削功能，可進(jìn)行大面積平面蝕刻

CP拋光基本原理

機(jī)械拋光 VS CP拋光

      如果使用機(jī)械拋光裝置進(jìn)行拋光，由于物理?yè)p傷和污染，很難檢查橫截面的確切狀態(tài)，但當(dāng)使用離子束通過(guò) CP 進(jìn)行橫截面加工時(shí)，可以觀察微表面結(jié)構(gòu)，樣品無(wú)結(jié)構(gòu)損壞和污染。

FIB 拋光 VS CP拋光

      與聚焦離子束 (FIB)  相比，使用 CP-8000+ 蝕刻同一樣品的截面時(shí)，您可以在更短的時(shí)間內(nèi)蝕刻更寬的橫截面，從而極大地節(jié)省時(shí)間和成本。
       以下圖像是同一樣本在同一時(shí)間段內(nèi)以兩種不同方式（FIB 和 CP）銑削的結(jié)果。

數(shù)碼顯微鏡

      使用數(shù)字顯微鏡，可以通過(guò)屏幕輕松對(duì)準(zhǔn)離子束的位置和樣品的位置。

倉(cāng)室內(nèi)攝像頭

      您可以通過(guò)腔室內(nèi)的攝像頭檢查離子束的狀態(tài)，并實(shí)時(shí)檢查截 面蝕刻的程度。

自動(dòng)離子束開/關(guān)模式

      該功能旨在通過(guò)根據(jù)設(shè)置的離子束開/關(guān)計(jì)時(shí)器打開和關(guān)閉離子束，減少離子束造成的熱損傷。在蝕刻聚合物和紙張等熱敏樣品時(shí)，它對(duì)于獲得準(zhǔn)確的橫截面條件非常有用。

配方模式

      常用的蝕刻條件可以存儲(chǔ)在配方列表中，以便在需要時(shí)輕松應(yīng)用設(shè)置值。此外，還可以使用分步模式來(lái)存儲(chǔ)多個(gè)配方并自動(dòng)執(zhí)行它們來(lái)蝕刻樣品。

平面拋光模式

      CP-8000+ 可以使用專用支架在平面上處理樣品。 當(dāng)樣品安裝在專用支架上并使用平面銑削功能時(shí)， 離子束會(huì)基于旋轉(zhuǎn)中心軸蝕刻幾個(gè)平方毫米的區(qū)域。 在此刻，由于拋光速度、面積和深度根據(jù)離子束 撞擊樣品表面的入射角而變化，因此應(yīng)通過(guò)旋轉(zhuǎn)和調(diào)整樣品的角度來(lái)實(shí)現(xiàn)均勻的表面拋光。 由于離子束照射的面積較大，可以蝕刻氧化層或異物，因此可用于大面積樣品的預(yù)處理。